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可控硅控制器 HHB12-1  京儀儀器

可控硅控制器 HHB12-1 京儀儀器

簡要描述:
可控硅控制器 HHB12-1 京儀儀器
1 觸發(fā)輸出(十二路脈沖,每路雙脈沖)
脈沖寬度:>1.0ms
脈沖電流峰值:>800mA

更新時間:2023-11-11

訪問量:456

廠商性質:生產廠家

可控硅控制器 HHB12-1  京儀儀器

 技術參數
1 觸發(fā)輸出(十二路脈沖,每路雙脈沖)
脈沖寬度:>1.0ms
脈沖電流峰值:>800mA
橋內各相脈沖不均衡度:≤1°
橋間脈沖整定范圍:-10 — +10°
移相范圍:0—170°
輸出隔離電壓:小于AC600V(用于主電路電壓小于600V的裝置)
2 調節(jié)特性(電流電壓雙調節(jié))
恒壓、恒流精度:優(yōu)于1%
調節(jié)時間:0.1S
3 反饋參數
電壓反饋輸入:直流15V,內阻6K。
電流反饋輸入:直流分流器 75mV,內阻1KΩ。
電流傳感器 直流5V,內阻50K。
注:上述反饋量值是額定輸出時的反饋值。
反饋電路和內部電路不隔離,如果需要隔離時或者反饋的極性與本電路不符,那么必須外接隔離模塊。
4 輸入控制電壓:0 — -10V
5 控制輸入:
運行:接點閉合運行,接點開路停止。
連鎖:接點閉合禁止運行。
6 保護特性
   過流保護整定范圍:額定負載電流的70—150%
  過壓保護整定范圍:額定電壓的70—150%
7 工作環(huán)境
   環(huán)境溫度:-25—+40℃
   相對濕度:<85%
8 電源:三相380V±10%,50Hz。
9 整機功耗:<10W
10 外型尺寸:264×170×60(詳見附圖)
11 重量:1.5Kg

可控硅控制器 HHB12-1  京儀儀器

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