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硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

簡(jiǎn)要描述：
硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 京儀儀器
GBW13701—GBW13708是參照原美國(guó)NBS（現(xiàn)為NIST）的標(biāo)準(zhǔn)，以硅為原材料，通過(guò)特殊工藝研制而成的標(biāo)稱(chēng)值不同的一套硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)片。本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)一般用于檢定和校準(zhǔn)制造和使用中的電阻率（方阻）測(cè)試儀。GBW13709—GBW13710則是用于校準(zhǔn)擴(kuò)展電阻測(cè)量系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)片。

更新時(shí)間：2023-11-10

訪(fǎng)問(wèn)量：1387

廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家

　　硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 京儀儀器
 
　　GBW13701—GBW13708是參照原美國(guó)NBS(現(xiàn)為NIST)的標(biāo)準(zhǔn)，以硅為原材料，通過(guò)特殊工藝研制而成的標(biāo)稱(chēng)值不同的一套硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)片。
 
　　本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)一般用于檢定和校準(zhǔn)制造和使用中的電阻率(方阻)測(cè)試儀。GBW13709—GBW13710則是用于校準(zhǔn)擴(kuò)展電阻測(cè)量系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)片。
 
　　電阻率樣片規(guī)格一般為直徑2英寸(51mm)— 4英寸(100mm)，厚度500mm—650mm的圓片(Wafer)，包裝為帶標(biāo)簽的標(biāo)準(zhǔn)幣式單片晶圓包裝盒。
 
　　擴(kuò)展電阻樣片規(guī)格一般為3mm×5mm矩形薄片，包裝為帶標(biāo)簽的獨(dú)立自封袋。
 
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